SH8K37GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8K37GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8K37GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5,5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

SH8K37GZETB

Símbolo TME:

SH8K37GZETB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.54 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.92 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.82 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.82 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.77 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.72 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.68 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.66 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30000 und - 0.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30000 und - 0.62 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	5,5A
Corriente del drenaje en impulso	18A
Poder disipado	2W
Carcasa	SOP8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	66mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	9,7nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD