STB100N10F7
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STB100N10F7
Símbolo TME:
STB100N10F7
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | STripFET™ F7 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 100V | |
Corriente del drenaje | 70A | |
Corriente del drenaje en impulso | 320A | |
Poder disipado | 150W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 8mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 61nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* STB100N10F7Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.89 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 1.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 1.68 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.62 USD