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Fabricante	STMicroelectronics
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	40V
Corriente del drenaje	40A
Corriente del drenaje en impulso	240A
Poder disipado	57W
Carcasa	PowerFLAT 5x6
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	8,5mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	9,8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

STL64DN4F7AG

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 240A; 57W

Especificación