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Fabricante	STMicroelectronics
Tipo de diodo	rectificador de barrera Schottky
Carcasa	D2PAKHV
Tecnología	SiC
Montaje	SMD
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente conductiva	6A
Estructura del semiconductor	diodo individual
Corriente conductiva máx.	2,6V
Corriente en impulso max.	30A
Clase de empaquetado	bobina, cinta

STPSC6H12B-TR1

Diodo: rectificador de barrera Schottky; D2PAKHV; SiC; SMD; 1,2kV

Especificación

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