WMSC010H12B1P6T
Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 107A; Press-in PCB; 152W
El productor: WeEn Semiconductors
Denominación de fabricante:
WMSC010H12B1P6T
Símbolo TME:
WMSC010H12B1P6T
Especificación
Fabricante | WeEn Semiconductors | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 107A | |
Topología | medio puente MOSFET, termistor NTC | |
Montaje eléctrico | Press-in PCB | |
Resistencia en estado de transferencia | 10mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 210A | |
Poder disipado | 152W | |
Tecnología | SiC | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto20 g
Certificados
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* WMSC010H12B1P6T
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Número de unidades (Multiplicidad: 16)