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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 38A | |
Boîtier | SP1 | |
Topologie | boost chopper, demi-pont MOSFET | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Résistance en état de conduction | 45mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 130A | |
Puissance de dissipation | 250W | |
La technologie | CoolMOS™, SiC | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Montage mécanique | vissés |