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APTC60AM45BC1G

Module; diode SiC/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APTC60AM45BC1G
Référence TME:
APTC60AM45BC1G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
diode SiC/transistor
Tension drain-source
600V
Courant du drain
38A
Boîtier
SP1
Topologie
boost chopper, demi-pont MOSFET
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
45mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
130A
Puissance de dissipation
250W
La technologie
CoolMOS™, SiC
Tension entrée-source
±20V
Montage mécanique
vissés
Poids brut80 g
Certificates

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APTC60AM45BC1G
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Prix net pour les quantités de 11 pcs - 83.37 USDPrix brut pour les quantités de 11 pcs - 83.37 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 11)