APTCV60HM45RT3G
Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTCV60HM45RT3G
Référence TME:
APTCV60HM45RT3G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET / IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 38A | |
Boîtier | SP3F | |
Topologie | redresseur 1-phase à diodes, redresseur H, thermistor NTC | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Résistance en état de conduction | 45mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 130A | |
Puissance de dissipation | 250W | |
La technologie | CoolMOS™, Field Stop, Trench | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Montage mécanique | vissés | |
Courant du collecteur | 50A |
Poids brut110 g
Certificates
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* APTCV60HM45RT3GNombre de pièces (Multiplication: 12)
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Prix net pour les quantités de 12 pcs - 80.50 USDPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 80.50 USD
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