APTM100A13SCG
Module; diode SiC/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTM100A13SCG
Référence TME:
APTM100A13SCG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 49A | |
Boîtier | SP6C | |
Topologie | demi pont MOSFET + diodes linéaires + diodes parallèles | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 156mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 240A | |
Puissance de dissipation | 1,25kW | |
La technologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut300 g
Certificates
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* APTM100A13SCGNombre de pièces (Multiplication: 4)
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Prix net pour les quantités de 4 pcs - 263.98 USDPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 263.98 USD
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