APTM100H45SCTG
Module; diode SiC/transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; vissés
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTM100H45SCTG
Référence TME:
APTM100H45SCTG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 14A | |
Boîtier | SP4 | |
Topologie | pont H + diodes parallèles, thermistor NTC | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 0,54Ω | |
Courant du drain dans l'impulsion | 72A | |
Puissance de dissipation | 357W | |
La technologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut160 g
Certificates
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* APTM100H45SCTGNombre de pièces (Multiplication: 6)
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Prix net pour les quantités de 6 pcs - 164.71 USDPrix brut pour les quantités de 6 pcs - 164.71 USD
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