APTM100UM45DAG
Module; diode/transistor; 1kV; 160A; SP6C; Idm: 860A; 5kW; Ugs: ±30V
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTM100UM45DAG
Référence TME:
APTM100UM45DAG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 160A | |
Boîtier | SP6C | |
Topologie | transistor simple + diode linéaire | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 52mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 860A | |
Puissance de dissipation | 5kW | |
La technologie | POWER MOS 7® | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut300 g
Certificates
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* APTM100UM45DAGNombre de pièces (Multiplication: 3)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 327.96 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 327.96 USD
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