APTM120U10SAG
Module; diode/transistor; 1,2kV; 86A; SP6C; Idm: 464A; 3,29kW
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTM120U10SAG
Référence TME:
APTM120U10SAG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 86A | |
Boîtier | SP6C | |
Topologie | transistor simple + diode linéaire + diode parallèle | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 0,12Ω | |
Courant du drain dans l'impulsion | 464A | |
Puissance de dissipation | 3,29kW | |
La technologie | POWER MOS 7® | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut300 g
Certificates
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* APTM120U10SAGNombre de pièces (Multiplication: 4)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 4 pcs - 260.74 USDPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 260.74 USD
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