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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 34A | |
Boîtier | SP4 | |
Topologie | pont H + diodes parallèles + diodes linéaires, thermistor NTC | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 90mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 184A | |
Puissance de dissipation | 357W | |
La technologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |