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GD1000HFX170P2S

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1700V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD1000HFX170P2S
Référence TME:
GD1000HFX170P2S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,7kV
Courant du collecteur
1kA
Boîtier
P2.0
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
2kA
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut1.21 kg
Certificates
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GD1000HFX170P2S
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