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En savoir plus iciFabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension drain-source | 850V | ||
Courant du drain | 110A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Résistance en état de conduction | 33mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 220A | ||
Puissance de dissipation | 1,17kW | ||
La technologie | HiPerFET™, X-Class | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Charge d'entrée | 425nC | ||
Temps d'attente | 205ns | ||
Tension entrée-source | ±40V | ||
Montage mécanique | vissés |