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IXFN66N85X

Module; transistor simple; 850V; 65A; SOT227B; vissés; Idm: 140A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXFN66N85X
Référence TME:
IXFN66N85X

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
850V
Courant du drain
65A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
65mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
140A
Puissance de dissipation
830W
La technologie
HiPerFET™, X-Class
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
230nC
Temps d'attente
250ns
Tension entrée-source
±40V
Montage mécanique
vissés
Poids brut37.04 g
Certificates
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IXFN66N85X
1 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 41.24 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 41.24 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 10 pcs