IXYN82N120C3H1
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXYN82N120C3H1
Référence TME:
IXYN82N120C3H1
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant du collecteur | 66A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 320A | ||
Puissance de dissipation | 500W | ||
La technologie | GenX3™, XPT™ | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.22 g
Certificates
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* IXYN82N120C3H1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 52.43 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 52.43 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs