MSCSM120AM027CD3AG
Module; diode SiC/transistor; 1,2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2,97kW
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
MSCSM120AM027CD3AG
Référence TME:
MSCSM120AM027CD3AG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | ||
Tension drain-source | 1,2kV | ||
Courant du drain | 584A | ||
Boîtier | D3 | ||
Topologie | demi point MOSFET + diodes parallèles | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Résistance en état de conduction | 3,5mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 1400A | ||
Puissance de dissipation | 2,97kW | ||
La technologie | SiC | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut350 g
Certificates
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* MSCSM120AM027CD3AGNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 915.98 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 915.98 USD
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