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En savoir plus iciFabricant | STMicroelectronics | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | 650V | |
Courant du drain | 55,7A | |
Boîtier | ISOTOP | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 24mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 352A | |
Puissance de dissipation | 494W | |
La technologie | MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™ | |
Tension entrée-source | ±25V | |
Genre de la emballage | tube | |
Montage mécanique | vissés |