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En savoir plus iciFabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension drain-source | 100V | ||
Courant du drain | 590A | ||
Boîtier | Y3-DCB | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Résistance en état de conduction | 2,1mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 2,36kA | ||
Puissance de dissipation | 2,2kW | ||
La technologie | HiPerFET™ | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Charge d'entrée | 2µC | ||
Temps d'attente | 300ns | ||
Tension entrée-source | ±20V | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | sortie Kelvin | ||
Montage mécanique | vissés |