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VMO550-01F

Module; transistor simple; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
VMO550-01F
Référence TME:
VMO550-01F

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
100V
Courant du drain
590A
Boîtier
Y3-DCB
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
2,1mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
2,36kA
Puissance de dissipation
2,2kW
La technologie
HiPerFET™
Genre de canal
enrichi
Charge d'entrée
2µC
Temps d'attente
300ns
Tension entrée-source
±20V
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Montage mécanique
vissés
Poids brut50 g
Certificates
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VMO550-01F
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 550.47 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 550.47 USD
Prix net pour les quantités de 2 pcs - 486.51 USDPrix brut pour les quantités de 2 pcs - 486.51 USD
Prix net pour les quantités de 4 pcs - 437.41 USDPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 437.41 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)