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A bipolar transistor (Bipolar Junction Transistor, BJT) is a three-terminal semiconductor active element used for amplifying electrical signals and switching currents in analogue and digital circuits. Il est constitué de trois couches semi-conductrices dont les types de conductivité alternent : type n et type p, ce qui crée deux barrières de potentiel de jonction - émetteur-base et base-collecteur. Depending on the arrangement of the layers, there are two types of bipolar transistors: NPN et PNP, qui diffèrent par le sens de circulation du courant et la polarité des tensions d'alimentation.
The operation of a bipolar transistor is based on controlling the flow of majority charge from the emitter to the collector via a thin base layer. Le courant de base, bien que faible, permet de contrôler un courant de collecteur beaucoup plus important, ce qui permet un gain de courant et de tension. En mode actif, la jonction émetteur-base est polarisée dans le sens de la conduction et la jonction base-collecteur est polarisée dans le sens de la pénétration. A characteristic feature of a bipolar transistor is its dependence on control current, unlike unipolar transistors (e.g. MOSFETs), which respond to voltage.
Bipolar transistors exhibit high linearity and wide bandwidth, making them useful in amplifier, generator, mixer and signal buffer circuits. Ils sont utilisés aussi bien dans des circuits discrets simples que dans des circuits intégrés complexes. Leurs paramètres techniques, tels que le gain en courant, la fréquence limite ou la puissance de perte, sont sélectionnés en fonction de l'application, du niveau de signal et des caractéristiques dynamiques requises. Des versions spéciales avec une surface de connecteur, une résistance thermique et une capacité à conduire des courants élevés accrues sont utilisées dans les circuits de puissance.
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