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Fabricante	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	12V
Poder disipado	2,3W
Carcasa	DFN10
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	3,7mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	32nC
Clase de canal	enriquecido
Estructura del semiconductor	drenaje conjunto
Versión	ESD

AOC3870A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 2,3W; DFN10; ESD

Especificación

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