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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	23A
Carcasa	SP1
Topología	boost chopper, termistor NTC
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	0,36Ω
Corriente del drenaje en impulso	195A
Poder disipado	657W
Tecnología	POWER MOS 8®, SiC
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM120DA30CT1G

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca