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Fabricante	BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de diodo	rectificador de barrera Schottky
Carcasa	TO252-2
Tecnología	SiC
Montaje	SMD
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente conductiva	10A
Estructura del semiconductor	diodo individual
Corriente en impulso max.	90A
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Poder disipado	158W

B3D10120E

Diodo: rectificador de barrera Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca