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Fabricante	POWEREX
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	600A
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	1,2kA
Tecnología	IGBTMOD™
Propiedades de elementos semiconductores	integrated anti-parallel diode
Montaje mecánico	atornillado

CM600HB-24A

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A

Especificación