EM6M2T2R

Name: ROHM SEMICONDUCTOR EM6M2T2R
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: EM6M2T2R
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-20V

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

EM6M2T2R

Símbolo TME:

EM6M2T2R

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.77 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.57 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.37 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.37 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2000 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.23 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 8000 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 8000 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24000 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24000 und - 0.19 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 8 000 und

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	20/-20V
Corriente del drenaje	0,2/-0,2A
Corriente del drenaje en impulso	0,4A
Poder disipado	0,15W
Carcasa	SOT563
Tensión puerta-fuente	±8/±10V
Resistencia en estado de transferencia	1/1,2Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD