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GD200HFX65C1S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A


El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD200HFX65C1S
Símbolo TME:
GD200HFX65C1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
200A
Carcasa
C1 34mm
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
400A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto150 g
Certificados
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GD200HFX65C1S
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