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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	1,7kV
Corriente de colector	42A
Carcasa	SOT227B
Uso	motores, para UPS
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	100A
Poder disipado	500W
Tecnología	BiMOSFET™
Montaje mecánico	atornillado

IXBN75N170A

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B

Especificación