IXFN100N50Q3
Módulo; transistor individual; 500V; 82A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN100N50Q3
Símbolo TME:
IXFN100N50Q3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 82A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 49mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 960W | |
Tecnología | HiPerFET™, Q3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 255nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.83 g
Certificados
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* IXFN100N50Q3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 73.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 73.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 64.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 64.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 58.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 58.06 USD