IXFN160N30T
Módulo; transistor individual; 300V; 130A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN160N30T
Símbolo TME:
IXFN160N30T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 130A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 19mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 444A | |
Poder disipado | 900W | |
Tecnología | GigaMOS™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 376nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.8 g
Certificados
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* IXFN160N30TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 29.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 29.50 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.75 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.75 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und