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IXFN180N15P

Módulo; transistor individual; 150V; 150A; SOT227B; atornillado


El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXFN180N15P
Símbolo TME:
IXFN180N15P

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión drenaje-fuente
150V
Corriente del drenaje
150A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Polarización
unipolar
Resistencia en estado de transferencia
11mΩ
Corriente del drenaje en impulso
380A
Poder disipado
680W
Tecnología
HiPerFET™, PolarHT™
Clase de canal
enriquecido
Carga de puerta
240nC
Tiempo de disponibilidad
200ns
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto36.59 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
*
IXFN180N15P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 28.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 28.23 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.01 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 23.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 23.92 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 22.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 22.58 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 22.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 22.25 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 21.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 21.48 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und