IXFN210N30X3
Módulo; transistor individual; 300V; 210A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN210N30X3
Símbolo TME:
IXFN210N30X3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 210A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 4,6mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 650A | |
Poder disipado | 695W | |
Tecnología | HiPerFET™, X3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 375nC | |
Tiempo de disponibilidad | 190ns | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.14 g
Certificados
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* IXFN210N30X3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
12 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 49.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 49.36 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 46.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 46.85 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 45.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 45.54 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und