IXFN24N100
Módulo; transistor individual; 1kV; 24A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN24N100
Símbolo TME:
IXFN24N100
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1kV | |
Corriente del drenaje | 24A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 390mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 96A | |
Poder disipado | 568W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 250nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.16 g
Certificados
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* IXFN24N100Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 48.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 48.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 43.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 43.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 41.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 41.01 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 38.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 38.43 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und