IXFN320N17T2
Módulo; transistor individual; 170V; 260A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN320N17T2
Símbolo TME:
IXFN320N17T2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 170V | |
Corriente del drenaje | 260A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 5,2mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 800A | |
Poder disipado | 1,07kW | |
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 640nC | |
Tiempo de disponibilidad | 150ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
* IXFN320N17T2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 57.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 57.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 51.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 51.27 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 46.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 46.04 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und