IXFN36N100
Módulo; transistor individual; 1kV; 36A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN36N100
Símbolo TME:
IXFN36N100
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1kV | |
Corriente del drenaje | 36A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,24Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 144A | |
Poder disipado | 694W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 380nC | |
Tiempo de disponibilidad | 180ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.27 g
Certificados
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* IXFN36N100Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 100.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 100.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 89.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 89.20 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 80.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 80.12 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und