IXFN64N50P
Módulo; transistor individual; 500V; 50A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN64N50P
Símbolo TME:
IXFN64N50P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 50A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 85mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 150A | |
Poder disipado | 625W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 150nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.91 g
Certificados
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* IXFN64N50P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 32.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 32.66 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 25.47 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 25.47 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 23.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 23.38 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 22.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 22.56 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und