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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	0,6kV
Corriente de colector	120A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	800A
Poder disipado	595W
Tecnología	GenX3™
Montaje mecánico	atornillado

IXGN120N60A3

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 120A; SOT227B

Especificación