IXGN200N170
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; 1,25kW
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXGN200N170
Símbolo TME:
IXGN200N170
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,7kV | |
Corriente de colector | 160A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 1,05kA | |
Poder disipado | 1,25kW | |
Tecnología | NPT | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXGN200N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 60.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 60.72 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 58.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 58.59 USD