IXTH36P10
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36A; 180W; TO247-3; 180ns
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTH36P10
Símbolo TME:
IXTH36P10
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -100V | |
Corriente del drenaje | -36A | |
Poder disipado | 180W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 75mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 95nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Tiempo de disponibilidad | 180ns |
Peso bruto6 g
Certificados
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* IXTH36P10
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 2.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 2.50 USD