+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Registrarse

Les informamos que el día 06.09.2026. de 08:00 - 11:00 (CEST) pueden ocurrir problemas con acceso a servicio y a pedidos en línea. Disculpen las molestias.

Le informamos que sólo aceptamos pedidos de clientes corporativos.

Procesamiento de datos en progreso

Su límite de crédito ha sido sobrepasado. Su pedido está introducido en el sistema pero no se realizará. No se realizara tampoco el horario para productos pedidos. Contáctese con un empleado de TME.

Se ha realizado una operación con éxito.

Ocurrió un error inesperado. Inténtalo de nuevo.

Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	650V
Corriente del drenaje	76A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	30mΩ
Corriente del drenaje en impulso	204A
Poder disipado	595W
Tecnología	X2-Class
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	152nC
Tiempo de disponibilidad	450ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXTN102N65X2

Módulo; transistor individual; 650V; 76A; SOT227B; atornillado

Especificación