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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	650V
Corriente de colector	100A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	460A
Poder disipado	600W
Tecnología	GenX3™, XPT™
Montaje mecánico	atornillado

IXYN100N65A3

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B

Especificación