+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

Le informamos que sólo aceptamos pedidos de clientes corporativos.

NCP5181DR2G

IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; SO8; Ch: 2

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NCP5181DR2G
Símbolo TME:
NCP5181DR2G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de circuito integrado
driver
Topología
medio puente IGBT, medio puente MOSFET
Clase de circuito integrado
controladores de puertas, high-/low-side
Carcasa
SO8
Corriente de salida
-2,2...1,4A
Número de canales
2
Montaje
SMD
Temperatura de trabajo
-40...125°C
Tiempo de incremento del impulso
60ns
Tiempo de reducción del impulso
40ns
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de voltaje
600V
Protección contra
bajo voltaje UVP
Tensión de alimentación
  • 10...20V DC
Peso bruto0.14 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Drivers MOSFET/IGBT ONSEMI,
*
NCP5181DR2G
1668 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.51 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.51 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.39 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.34 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.24 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und