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Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	400A
Carcasa	AHPM5-CDA
Topología	medio puente MOSFET
Montaje eléctrico	atornillado, THT
Resistencia en estado de transferencia	4,6mΩ
Poder disipado	1kW
Tecnología	SiC
Tensión puerta-fuente	-10...25V
Clase de empaquetado	tubo

NVVR26A120M1WST

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 400A; AHPM5-CDA; 1kW; SiC

Especificación