STGB10H60DF
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGB10H60DF
Símbolo TME:
STGB10H60DF
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 600V | |
Corriente de colector | 10A | |
Poder disipado | 115W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 40A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 57nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto1.5 g
Certificados
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* STGB10H60DFNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.58 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.32 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.15 USD