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Fabricante	ONSEMI
Tipo de diodo	rectificador de barrera Schottky
Tecnología	SiC
Montaje	THT
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente conductiva	50A
Estructura del semiconductor	diodo individual
Carcasa	TO247-2
Corriente conductiva máx.	1200V
Corriente en impulso max.	275A
Poder disipado	134W
Clase de empaquetado	tubo

UJ3D1250K2

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 50A

Especificación