Name: ROHM SEMICONDUCTOR US6K2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: US6K2TR
Availability: OutOfStock

US6K2TR

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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.88 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.30 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 15000 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 15000 und - 0.20 USD

Precio neto para cantidades a partir de 21000 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 21000 und - 0.20 USD

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	1,4A
Corriente del drenaje en impulso	5,6A
Poder disipado	1W
Carcasa	TUMT6
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	0,38Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	1,4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD

US6K2TR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1,4A; Idm: 5,6A; 1W; TUMT6