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Fabricante	WeEn Semiconductors
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	107A
Topología	medio puente MOSFET, termistor NTC
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	10mΩ
Corriente del drenaje en impulso	210A
Poder disipado	152W
Tecnología	SiC
Tensión puerta-fuente	-4...18V
Montaje mecánico	atornillado

WMSC010H12B1P6T

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 107A; Press-in PCB; 152W

Especificación