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2SC0108T2F1-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

El productor: POWER INTEGRATIONS

Denominación de fabricante:
2SC0108T2F1-17
Símbolo TME:
2SC0108T2F1-17

Especificación

Fabricante
POWER INTEGRATIONS
Tipo de módulo semiconductor
gate driver board
Topología
medio puente IGBT, medio puente MOSFET
Montaje
regleta pin
Temperatura de trabajo
-40...85°C
Tecnología
SCALE™-2+
Clase de voltaje
1,7kV
Frecuencia
50kHz
Corriente de salida
8A
Clase de salida
control IGBT
Tensión de alimentación
  • 14,5...15,5V DC
Propiedades de circuitos integrados
  • convertidor DC/DC integrado
  • separación galvánica
Peso bruto50 g
Certificados
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2SC0108T2F1-17
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