APTM100UM65DAG
Módulo; transistor individual; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3,25kW
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APTM100UM65DAG
Símbolo TME:
APTM100UM65DAG
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 110A | ||
Carcasa | SP6C | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 78mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 580A | ||
Poder disipado | 3,25kW | ||
Tecnología | POWER MOS 7® | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto300 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APTM100UM65DAGNúmero de unidades (Multiplicidad: 4)
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Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 256.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 256.16 USD
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