APTM120DA30CT1G
Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APTM120DA30CT1G
Símbolo TME:
APTM120DA30CT1G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | diodo SiC/transistor | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 23A | ||
Carcasa | SP1 | ||
Topología | boost chopper, termistor NTC | ||
Montaje eléctrico | Press-in PCB | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,36Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 195A | ||
Poder disipado | 657W | ||
Tecnología | POWER MOS 8®, SiC | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto80 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APTM120DA30CT1GNúmero de unidades (Multiplicidad: 12)
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Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 75.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 75.26 USD
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